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元件参数资料
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参数目录40292
> ZXMN3A06DN8TC MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC
型号:
ZXMN3A06DN8TC
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
ZXMN3A06DN8TC PDF
标准包装
2,500
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
35 毫欧 @ 9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
17.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
796pF @ 25V
功率 - 最大
1.25W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOP
包装
带卷 (TR)
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